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Golden Member
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引用:
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作者lifaung
phase shift mask加上多重曝光還是有很多限制
是不得已中的辦法
現實來說, 5nm和7nm最大的差距會在介電質漏電, 不是只有曝光機的差距, 也還有材料的挑戰
同樣, 5轉進到3也是一樣問題
大家可以等著看護國神山年底n3花式翻車
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這個材料的挑戰
也是我懷疑中芯7nm是否實現的因素之一
畢竟半導體材料很多是日本廠商提供的吧
日本出口給大陸意願高低不清楚
美國肯定是想要打壓
大陸本土廠商又能替代多少?
畢竟越來越接近物理極限
5進3步伐慢下來也很正常
不要像intel那樣一卡關卡好幾年就好 |