| Junior Member | 
	引用: 
	
		| 作者hendry2002 前幾天在政論節目上 
有人提到 
台積電的7nm一開始也是用DUV機台做出來的 
我沒辦法證實這消息正確與否 
可能要請業內人士來說明 
若屬實   那SMIC用DUV生產7nm 
也不是不可能發生
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2019 年的新聞
https://www.digitimes.com.tw/iot/ar...DS2T4CXG2AWB930 
	引用: 
	
		| 現有台積電7nm基於多重曝光技術,也就是使用DUV(深紫外光)機台,對晶圓進行4次的重複曝光,以求取電晶體的微小化,這是在EUV(極紫外光)機台因為技術研發瓶頸,在產能和良率難以突破之下,所以選擇了成熟的DUV技術來達成。 
 但問題是,使用DUV加上多重曝光技術,雖然可以達到7nm的密度,但因為工序增加,成本也大幅提升,根據計算,台積電的7nm相較起10nm,在單一晶圓的製造成本上增加了至少18%,而如果以晶片成品來比較,同樣電晶體規模的晶片以7nm,將會比10nm高出11.5%,過去通過製程的微縮,單一晶片的成本會明顯下降,而這是在晶片製造的歷史上,第一次晶片的成本會比舊製程高的狀況。
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