無視日半導體出口新規 陸首台國產28nm浸潤式光刻機年底交付

報導指出，近日有消息稱，上海微電子正極力研發28奈米浸潤式DUV光刻機，
預計在2023年底將國產第一台SSA/800-10W光刻機設備交付市場。
而去年底官方公布華為一項名為「反射鏡、光刻裝置及其控制方法」(CN115343915A)的新專利，
未來能在EUV光刻機核心技術上取得的突破性進展。
另外，華中科技大學研製的OPC系統、哈爾濱工業大學研製的鐳射干涉系統等，
也各自有所突破。將加快推進14 奈米、7奈米甚至更低節點的光刻機研發工作。

大陸目前可量產90奈米以上的光刻機，與國際先進水準仍有差距，
但也能滿足國內市場部分需要。
這顯示中國在光刻機領域具有一定的技術積累和人才儲備，
有望逐步縮小與國際先進水準的差距。
不過，光刻機涉及光學、精密機械、材料、控制等多領域複雜技術，
關鍵技術研發具有超高難度，僅有政策和資金支援還遠遠不夠，
還需要包括技術、人才、資料等各種資源的高效組合。