南韓媒體報導，南韓首爾中央地方法院 16 日公布，
逮捕 1 名涉嫌將晶片核心技術洩露給中國的前 SAMSUNG 員工，
該名金姓員工被指向中國長鑫存儲提供 18nm DRAM 記憶體相關技術，
造成的損失恐怕高達 2.3 兆韓元 (約 137 億港元) 。

據韓國經濟日報指，SAMSUNG 前部長金姓員工涉嫌將 18nm DRAM 核心技術
非法轉讓給中國長鑫存儲。南韓檢方指控，該員工 2016 年跳槽到長鑫存儲時，
洩露半導體沉積技術同及 7 個 DRAM 核心技術資料，收受數百億韓元報酬。

雖然案情未有透露涉及什麼 DRAM 技術，
但外界估計事件可能與長鑫存儲幾周前才發布 LPDDR5 記憶體技術有關，
預期中國 DRAM 技術因此縮減至僅落後韓國約 4 年時間。

新聞來源: HKEPC